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高频低阻电解电容器设计及注意事项


 

1、高频低阻电解电容器的基本要求

  ①、适应小型化发展,必须是小型化

  ②、适应高频化的发展,必须尽可能提高f0,改善高频特性,除了降低tanδ外,主要是降低ESL

  ③、为提高滤波效果,应尽可能降低Z或ESR.也有利降低温升,发热功率P= I~2ESR,提高耐纹波能力

2、低压高频低阻电解电容器

①、小型化

    为小型化应选择高比容箔,但高比容必然增加箔电阻,不利于降ESR,应取两者之平衡,在尺寸允许情况下,可选低一点的比容箔。为解决这方面的矛盾,特意研究了高频低阻抗专用箔,特点是高比容低损耗,即在追求高比容的同时,尽可能降低箔电阻。

    在腐蚀技术及化成技术两方面都下功夫。腐蚀技术主要追求在高倍率腐蚀的同时尽可能不提高箔电阻,形状大小有利于腐蚀表面的有效利用。

    化成技术主要是提高腐蚀表面的有效利用率,提高氧化膜质量,特别是耐压系数(单位电压所需氧化膜的厚度),如果单位电压所需氧化膜厚度降低,就意味着电容量的上升。除非特殊需要(大波纹,长寿命,高温)一般不提高箔的耐压要求。

②、高频化

    为提高f0,这里主要讨论降低ESL应采取的措施。

    高频低阻电解电容器电感主要由引线条及芯子电感组成

    引线引条电感对引线式电容器,选择粗短的引线有利于降电感,对于盖板式电容器引条电感与引条的长、宽、厚有关,也与引线根数有关。

    一条引条的电感b、a、t分别为引线条长、宽、厚。

    多根引条的电感n为引条根数,K1引条间的电感系数

    引条长,电感大,引条短,电感小。引线根数多电感降低

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